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| 材料分析实验室配备了数十台业内先进的主流电镜，支持先进芯片样品的截面和平面分析，包含形貌观察、尺寸量测、元素分析及晶体学结构解析。由多位博士领衔的技术团队，不仅具有高超的半导体失效分析技术和丰富的案例经验，而且有深厚的半导体知识背景，能有效助力客户快速地发现问题，甄别失效的真因，改善生产工艺及产品设计。 | ||||
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材料分析 MA/Materials Analysis --- Focused Ion Beam(FIB) 支持截面观察、量测与成分分析、与制备高质量的TEM样品等。 |
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 FIM images@cross-section |
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 “鱼鳞状”晶体管的TEM照片 |
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痕量金属测试能力 对半导体生产中的化学品进行金属含量测试，如UPW、HF、HCL、HNO3、H2SO4、H3PO4、NH4OH、Wafer表面、Wafer本体、BOE、SC1、SC2、DEV、H2O2、IPA、NMP等进行痕量分析(ppt level)；可测试金属有Li、Na、Mg、Al、K、Cr、Mn、Fe、Ni、Pb、Co、Ca、Ga、As、Cu、Zn、Ag、Ba、Tl、B、Bi、Cd、In、Sr、W、Si、Ti等；1ppt级别的检测能力；同时可做同位素分离等。 |
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 Angilent ICP-MS 8900 |
 Agilent ICP-OES 5800 |
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 WSPS VPD实验机台 |
对半导体生产中的WAFER正表面和背表面进行金属测试(VPD-ICP MS)。可测试金属有Li、Na、Mg、Al、K、Cr、Mn、Fe、Ni、Pb、Co、Ca、Ga、As、Cu、Zn、Ag、Ba、Tl、B、Bi、Cd、In、Sr、W、Si、Ti等。10^8atom/cm2级别的检测能力。 | |||
痕量离子浓度测试能力
 ThermoFisher ICS6000 |
离子测量有F-、CI-、NO3-、SO42-、PO43-、NH4+等。10ppt级别的检测能力。 | |||
 瑞士万通905双通全自动 电位滴定仪酸碱+氧化还原 |
 瑞士万通852卡尔费休 库仑容量双通道水分仪 |
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可精确定量半导体原材料，生产工艺过程中的化学品浓度，如：Slurry、BOE、TMAH、SC1、SC2等化学品浓度。 GC-MS应用： 分析来自FAB环境样品中的VOC含量 VOC：Volatile Organic Compound |
傅里叶变换红外分析仪是用来分析WAFER中的C、O整体浓度分布的仪器。 分析原理： 全光谱吸收对比，精度PPM-PPM。 即可以单点浓度分析，也可以面扫描分析。 |
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 Agilent 5977-8860+TD100热脱附 |
 Nicolet™iS50 FTIR |
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化学实验室测试能力
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